刻蚀孔、光子晶体和许多其他应用,材料范围广泛(InP, InSb, InGaAsP, GaAs, AlGaAs, GaN, AlGaN,等) GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺,比如HBLED和其它
, AlGaAs, GaN, AlGaN,等) GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺,比如HBLED和其它功率器件的刻蚀高品质,高速率SiO2沉积,应用于光子器件金属(Nb, W)刻蚀 zei新的单晶
集成电路(RFIC)– 专用集成电路(ASIC)– 片上系统(SOC)器件光电器件,例如发光二极管(LED)、激光二极管高亮度LED(HBLED)、垂直腔面发射激光器 (VCSEL)、显示器圆片级可靠性– NBTI、TDDB、HCI、电迁移太阳能电池电池
, GaN, AlGaN,等)· GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺,比如HBLED和其它功率器件的刻蚀· 高品质,高速率SiO2沉积,应用于光子器件· 金属(Nb, W)刻蚀 该设备是一个灵活和
(± 10V @ ±20A,± 20V @ ±10A,± 40V @ ±5A); 轻松连接两个单元(串联或并联)以创建高达±100A或±80V的解决方案支持功率半导体,HBLED,光学器件,太阳能电池以及
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