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Hiden SIMS Workstation二次离子质谱仪
描述:Hiden SIMS二次离子质谱工作站提供高性能静态和动态 SIMS 分析,用于的表面成份分析和深度剖析。SIMS 工作站(SIMS Workstation-a complete
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SIMS二次离子质谱工作站
参数·Hiden EQS SIMS 分析仪,运行于 MASsoft O/S 之下,检测限至ppb级·基本的激发源选择: 带差式泵的Hiden IG20 Ion,IFG200 FAB或高性能液态镓枪
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CAMECA 二次离子质谱仪SIMS 7F-AUTO
仪器种类:磁质谱原始束流或速能量:1kev-15keV质量分析范围:1-360质量分辨率:>20000多功能SIMS工具:高分析效率和全自动化的基准检测灵敏度IMS 7f-Auto是我们获得成功的
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TESCAN 电镜质谱 FIB-SEM-TOF-SIMS 联用系统
所有特征。一个发射源,正交提取,中等质量分辨率二次离子飞行时间质谱仪(TOF-SIMS) 安装在双束聚焦(离子/电子)扫描电镜上,可以高效益、低成本的完成二次离子元素扫描。在深度上,可以得到几纳米的
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KORE SURFACESEER S: TOF-SIMS二次离子质谱
的样品提供SIMS数据库可选的光学显微镜/照相机/监视器SurfaceSeer-S是一种价格合理且结构紧凑的系统,用于快速表面化学表征。SurfaceSeer-S被设计为TOF-SIMS系列的价格适中
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KORE SURFACESEER I: TOF-SIMS二次离子质谱
高表面灵敏度1x109 atoms/cm2 (ppm)导电和绝缘表面SIMS正离子和负离子模式质量分辨率使用飞行时间反射管的质谱分析仪> 3000 m / δm (FWHM)质量范围>1000m/z
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TOF-qSIMS 飞行时间二次离子质谱仪TOF-SIMS
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PHI TRIFT V nano SIMS飞行时间二次离子质谱仪
box Voltage cycling sample stage module Sample preparation chamber 拥有市场上TOF-SIMS仪器中zei大的角度和能量接受标准
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TOF.SIMS 5 飞行时间二次离子质谱
【TOF.SIMS 5主要配置】1. TOF.SIMS 5 – 100: 包括分析器,真空系统,软硬件等基本配置。 2. Bi Nanoprobe: 第二代液态金属团簇离子源,30kV,离子
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CAMECA二次离子质谱仪QUAD4550高深度分辨率超低能量四极杆SIMS
半导体中的四极杆SIMS掺杂物深度剖析和薄层分析CAMECA SIMS 4550为光学器件中的硅、高k、硅锗以及III-V族化合物等复合材料的薄层提供超浅深度剖析、痕量元素和组分测量等一系列
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