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俄歇电子能谱 AES
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俄歇电子能谱专用
feedthrough ELS5000型:(俄歇电子能谱专用) ¨ Ideal for Static Auger Electron Spectroscopy AES ¨ Beam Energy
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俄歇电子能谱仪
仪器简介:美国专利 日本技术 90%市场占有率 是金属/半导体材料研发和故障分析的有力工具。空间分辨率高,信息深度5纳米以内技术参数:俄歇电子能谱仪 • He以上所有元素纳米(约
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岛津/Kratos X射线光电子能谱仪AXIS SUPRA+
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俄歇电子能谱仪(AES)
产品介绍: •产品名称:俄歇电子能谱仪(AES) •产品型号:AER-200 •品 牌:日美纳米表面分析仪器公司(U-P) •产 地:日本 产品参数
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PHI 710俄歇电子能谱仪
PHI710主要特点:l SEM分辨率≤ 3 nm, AES分辨率≤ 8 nm在俄歇能谱的采集分析过程中,包括谱图,深度剖析及元素分布像,需要先在SEM图像上定义样品分析区域,必然要求束斑直径
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低能电子散射/俄歇谱仪
仪器简介: 晶体中的原子对能量在0~500 eV范围内的电子有很大的散射截面,因此背散射电子中绝大部分是被表面或近表面的原子散射回来的,这就使低能电子衍射(LEED)成为研究表面结构的
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俄歇电子能谱仪(在线表面分析)
3kV 共轴电子枪 CeBix 灯丝,提供大电流密度 USB接口 Windows 7 数据获取及分析软件 ASCII command structure LabVIEW 软件驱动
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扫描俄歇显微镜系统
基本真空: 5x10-11 torr 电子束尺寸:3nm(FEI). 此系统装配用于深度剖面,UPS和XPS的聚焦离子枪。
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PHI 4700 AES俄歇分析仪
分析器、10 kV LaB6扫瞄式电子枪、5 kV浮动柱状式Ar离子枪及高精密度自动样品座。针对例行性的俄歇纵深分析、微区域的故障分析,提供了全自动与及高经济效益的解决方法。PHI 4700是建基于
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