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俄歇电子能谱 AES
服务详情俄歇电子能谱(Auger electron spectroscopy,简称AES),是一种表面科学和材料科学的分析技术。因此技术主要借由俄歇效应进行分析而命名之。这种效应系产生于受激发
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PHI 710俄歇电子能谱仪
PHI710主要特点:l SEM分辨率≤ 3 nm, AES分辨率≤ 8 nm在俄歇能谱的采集分析过程中,包括谱图,深度剖析及元素分布像,需要先在SEM图像上定义样品分析区域,必然要求束
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PHI 4700 AES俄歇分析仪
分析器、10 kV LaB6扫瞄式电子枪、5 kV浮动柱状式Ar离子枪及高精密度自动样品座。针对例行性的俄歇纵深分析、微区域的故障分析,提供了全自动与及高经济效益的解决方法。PHI 4700是建基于
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巴歇尔槽 巴歇尔污水计量槽
1:巴歇尔槽 巴歇尔污水计量槽 型号:HAD-8/2268巴歇尔槽用途: 与明渠流量计(WL-1A 型超声波明渠流量计)配合使用,(详见下表)把明渠内流量的大小转成液位的高低。测量明渠内水
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岛津/Kratos X射线光电子能谱仪AXIS SUPRA+
歇电子能谱和扫描俄歇电子显微镜(AES和SAM)等等AXIS SUPRA+高效智能工作流程适合多用户环境高吞吐量、快速队列样品分析模式实现连续分析采用的通用表面分析ESCApe软件系统使用户与谱仪的
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IG20 Ar/O2离子枪
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PHI X-tool 全自动扫描型微区XPS探针
测试位置。4. 详细的条件设定和直观的操作结合材料和目的,可详细设定分析的条件。通过内置元素周期表,可设定各光电子峰和俄歇峰。通过更改通过能、步长、积分时间设定窄谱扫描参数。对每个样品可设置习惯的
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PHI 5000 Versaprobe III 多功能型扫描XPS微探针
改善的俄歇SAM技术提供了更高的灵敏度和更好的信噪比,可同时进行REELS分析。原位低能反光电子能谱 (LEIPS) 可在较低电子能量下(对材料无损伤)测试样品的导带信息。 PHI5000
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激光闪光光解光谱仪FlashSENS
■ 电子能级跃迁、振动弛豫 ■ 电荷(空穴)转移(注入)时间 ■ 多激子效应(MEG)和俄歇复合 ■ 激发态吸收 ■ 染料敏化太阳能电池电子转移 ■ 半导体材料光催化电子转移 ■ 非线性光吸收
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X-Max Extreme 硅漂移探测器(SDD)-无窗超级能谱
俄歇谱仪与射线光电子能谱,EDS更节约时间和成本示例:1kV条件下采集的X-ray面分布以对高端电子元件使用棱镜内探头的二次电子图像进行表征。低电压材料鉴别在2千伏或更低条件下对材料进行表征。利用
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