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UVISEL 堀场HORIBA椭偏仪 可检测ZnO薄膜
堀场HORIBA椭偏仪UVISEL 用于测定ZnO薄膜,符合行业标准0。适用光学常数项目。 技术参数: * 光谱范围: 190-885 nm(可扩展至2100nm
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UVISEL 堀场HORIBAHORIBA Plus研究级经典型椭偏仪 可检测ZnO薄膜
堀场HORIBA椭偏仪UVISEL 参考多项行业标准0。完成ZnO薄膜的检测。可以用在电子/半导体行业领域中的Al含量,膜厚度项目。 仪器简介: 椭圆偏振光谱是一种无损无接触的光学测量技术
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椭偏仪堀场HORIBAHORIBA Plus研究级经典型椭偏仪 椭圆偏振光谱仪研究ZnO薄膜
堀场HORIBAHORIBA Plus研究级经典型椭偏仪UVISEL 可用于测定ZnO薄膜,适用于光学常数项目。并且参考多项行业标准0。可应用于涂料行业领域。 技术参数: * 光谱
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Al2O3+ZnO薄膜
产品名称:AL2O3+ZnO晶体(进口料ZnO?epi?film?on?Sapphire)技术参数:晶向:薄膜厚度:500A(0.5 micron)厚度公差:5%电阻率:10 to 10E3
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美国MASZeta电位纳米粒度及Zeta电位分析仪 APS-100超声法粒度仪在ZnO纳米颗粒和ZnO-EG纳米流体方面的应用
美国MASZeta电位 ZetaAPS型可以用在纳米材料行业领域,用来检测纳米氧化锌,可完成粒度分布检测项目。符合多项行业标准。 胤煌科技推出的Zeta APS原液/高浓度粒度及Zeta电位分析仪具有
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卓立汉光PL光致发光光谱测量系统 应用于半导体材料领域
激发发光材料而产生的发光。PL荧光光谱测量系统是用短波长激光(如325nm/442nm等)激发材料(如GaN/ZnO)产生荧光,通过对其荧光光谱的测量,分析该材料的光学特性。PL光致发光光谱测量系统
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卓立汉光PL光致发光光谱测量系统
短波长激光(如325nm/442nm等)激发材料(如GaN/ZnO)产生荧光,通过对其荧光光谱的测量,分析该材料的光学特性。PL光致发光光谱测量系统典型应用于LED发光材料、半导体材料的研究
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卓立汉光PL光致发光光谱测量系统 应用于LED发光材料领域
辐射激发发光材料而产生的发光。PL荧光光谱测量系统是用短波长激光(如325nm/442nm等)激发材料(如GaN/ZnO)产生荧光,通过对其荧光光谱的测量,分析该材料的光学特性。PL光致发光
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X荧光光谱仪
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HORIBA Plus研究级经典型椭偏仪椭偏仪堀场HORIBA 应用于电子/半导体
堀场HORIBAHORIBA Plus研究级经典型椭偏仪UVISEL 参考多项行业标准0。完成ZnO薄膜的检测。可以用在电子/半导体行业领域中的Al含量,膜厚度项目。 仪器简介: 椭圆偏振
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