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ULTRA带电粒子探测器
1 带电粒子的测量与探测器的基本类型 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的
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ORTEC带电粒子探测器ULTRA
1 带电粒子的测量与探测器的基本类型 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的
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U-019-300-100带电粒子探测器
带电粒子探测器,U-019-300-1001 带电粒子的测量与探测器的基本类型 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其
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U-050-2000-100带电粒子探测器
1 带电粒子的测量与探测器的基本类型 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的
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D-015-050-50带电粒子探测器
1 带电粒子的测量与探测器的基本类型 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的
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D-035-050-25带电粒子探测器
1 带电粒子的测量与探测器的基本类型 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的
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U-013-025-300带电粒子探测器
1 带电粒子的测量与探测器的基本类型 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的
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R-015-050-300带电粒子探测器
1 带电粒子的测量与探测器的基本类型 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的
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U-050-2000-100带电粒子探测器
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