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ORTEC带电粒子探测器ULTRA
探测器。 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在
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U-050-2000-100带电粒子探测器
探测器。 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在探测器
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R-015-050-300带电粒子探测器
。ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在探测器上应从
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U-013-025-300带电粒子探测器
探测器。 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在
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D-035-050-25带电粒子探测器
探测器。 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在
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D-015-050-50带电粒子探测器
的厚硅探测器。 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用
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U-050-2000-100带电粒子探测器
。ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在探测器上应从
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U-019-300-100带电粒子探测器
。 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在
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380 Z3000 纳米粒度仪
。 电泳光散射法(ELS)与粒子的动电(Zeta)电位: ELS是将电泳和光散射结合起来的一种新型光散射。它的光散射理论基础是准弹性碰撞理论,只是在实验时在式样槽中多加一个外电场,带电粒子即以固定
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Acromass电荷侦测器
电荷侦测器•没有真空状态的要求•不需要高电压偏压•侦测条件与离子速率与质量低度关联•低功耗 (< 0.5 W)•低噪 (当取样频率 200k Hz 时约 3 mVrms )•对带电粒子高度敏感
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