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氮化镓 CAS:25617-97-4 乐研Leyan.com
乐研Leyan.com:致力于为医药研发提供高品质化学试剂服务。氮化镓CAS No. :25617-97-4产品编号:1216744英文名称:Gallium nitride库存:现货供应,每天17
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碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪系统
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氮化镓(GaN)薄膜
产品名称:氮化镓(GaN)薄膜产品简介:氮化镓Epitxial范本saphhire是提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。在HVPE过程中,盐酸反应生成GaCl,而这又与氨反应生成氮化镓熔镓。外延
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安东帕微波合成Monowave 200 可检测氮化碳
安东帕微波合成Monowave 200参考多项行业标准。完成氮化碳的检测。可以用在化学药行业领域中的碳化氮量子点的合成项目。 量子点最大的优势就是对金属离子的吸收,因此近年来为了找出安全且具有荧光
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Agilent 8255 氮化学发光检测器 (NCD)
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氮化镓(GaN)晶体基片
产品名称:氮化镓(GaN)晶体基片产品简介:GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高,有效地屏蔽了
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牛津仪器半导体检测仪
化合物半导体的刻蚀包括AlGaN/GaN/AlN的刻蚀,氮化铝镓的深度刻蚀,还有GaP、磷化镓、GaAs/AlGaAs、砷化镓/砷化铝镓、GaSb、氮化镓、InSb、锑化铟、InP/InGaAsP
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Monowave 400安东帕微波合成仪 可检测氮化碳
安东帕微波合成Monowave 400适用于碳化氮量子点的合成项目,参考多项行业标准。可以检测氮化碳等样品。可应用于化学药行业领域。 量子点最大的优势就是对金属离子的吸收,因此近年来为了找出安全且
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牛津仪器Etch刻蚀工艺牛津仪器
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb刻蚀锑化镓刻蚀GaN刻蚀氮化镓刻蚀InSb刻蚀
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牛津仪器 牛津仪器Etch刻蚀工艺
化合物半导体刻蚀AlGaN/GaN/AlN刻蚀氮化铝镓深度刻蚀GaP感应耦合等离子体刻蚀磷化镓刻蚀GaAs/AlGaAs刻蚀砷化镓/砷化铝镓刻蚀GaSb刻蚀锑化镓刻蚀GaN刻蚀氮化镓刻蚀InSb刻蚀
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