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氮化镓(GaN)晶体基片
产品名称:氮化镓(GaN)晶体基片产品简介:GaN易与AlN、InN等构成混晶,能制成各种异质结构,已经得到了低温下迁移率达到105cm2/Vs的2-DEG(因为2-DEG面密度较高,有效地
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Nitrogenator氮化装置
温度可达85 °C材质1.4301/1.4404AISI 304/316LPLC西门子 S7可选项在线测量O2/CO2/糖/酒/..等浓度.氮化搅拌 深探公司氮化器是一种模块化装置,它既可以使用一个
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氮化铝(AlN)薄膜
产品名称:氮化铝(AlN)薄膜产品简介:AllN Epitxial范本saphhire提出了氢化物气相外延(HVPE)的方法。氮化铝薄膜又是成本效益的方法,用来取代氮化铝单晶衬底。科晶真诚
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铝酸锂(LiAlO2)晶体基片
产品名称:铝酸锂(LiAlO2)晶体基片产品简介:铝酸锂单晶与氮化镓的晶格失配率非常小(1.4%)而成为氮化镓薄膜的优质基片。技术参数: 晶体结构 四方 晶格常数(?) a=5.17 c
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硅酸镓镧 LGS
产品名称: 硅酸镓镧 LGS (La3Ga5SiO14) 技术参数:晶体切向: xyl/48.5°/26.7(0°,138.5°,26.7°)or (0°,22°,90°) 晶体直径
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WEP+CVP21+电化学ECV ,掺杂浓度PN结深测试
技术参数:产品完美结合我们在电化学方分布测试方面超过30年的经验和世界上最先进的电路系统。 全自动, 特别适用于新材料, 如氮化镓, 碳化硅材料等。 有效检测: •外延材料 •扩散 •离子注入
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磷化镓(GaP)晶体基片
产品名称:磷化铟(InP)晶体基片产品简介:技术参数:单晶:InP掺杂:None;Sn;S;Fe:Zn硬度:3.0莫氏硬度密度:4.78 g/cm3导电类型:N;N;N;Si;P折射率:3.45
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氮化学发光检测器
基于氮化学发光原理检测,高选择性 氮等摩尔响应 兼容所有HPLC 系统 可应用于正相,反相,离子交换以及尺寸排阻等系统 可直接面板控制
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电化学CV分布仪(CV测试仪
我们在电化学方分布测试方面超过30年的经验和世界上最先进的电路系统。 全自动, 特别适用于新材料, 如氮化镓, 碳化硅材料,多晶硅等等。 有效检测: •外延材料 •扩散
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锑化镓(GaSb)晶体基片
产品名称:锑化镓(GaSb)晶体基片产品简介:技术参数:单晶GaSb掺杂none;None, high R;Zn;Te;Te, high R导电类型P P- P+ N载流子浓度
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