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牛津Oxford等离子刻蚀沉积机System 100
, GaN, AlGaN,等)· GaN、AlGaN等的预生产和研发工艺,比如HBLED和其它功率器件的刻蚀· 高品质,高速率SiO2沉积,应用于光子器件· 金属(Nb, W)刻蚀 该设备是一个灵活和
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光谱椭偏仪
/反射率等参数的测量,快速实现光学参数薄膜和纳米结构的表征分析。SE-L光谱椭偏仪广泛应用于半导体薄膜结构:介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜,激光二极管GaN和AlGaN、透明的
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牛津仪器等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD) PlasmaPro 100
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牛津PlasmaPro 100等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD
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WEP+CVP21+电化学ECV ,掺杂浓度PN结深测试
:氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等… II-VI族化合物半导体如:氧化锌(ZnO)、碲化镉(CdTe)、汞镉碲(HgCdTe)等… 其他不常见半导体
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MiniPL小型深紫外宽带隙发光光谱仪
时不能同时进行Mapping测量) AlGaN光致发光光谱及PL Mapping光谱(含3D图谱),样品尺寸:直径50mm(样品由客户提供)MiniPL可被用表征半导体材料掺杂水平分析、合成
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电化学CV分布仪(CV测试仪
化合物半导体如:铝镓铟磷(AlGaInP)等… 氮化物如:氮化镓(GaN)、铝镓氮(AlGaN)、铟镓氮(InGaN)、铝铟氮(AlInN)等… II-VI族化合物半导体如:氧化锌
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ES01-PV 快速摄谱式 自动变角度光谱椭偏仪(光伏专用
应用包括:半导体(如:介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜,激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等)、平板显示(TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等)、功能性涂料:(增透型
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快速摄谱式 自动变角度光谱椭偏仪(光伏专用
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ESS01 波长扫描式 自动变角度光谱椭偏仪
等,典型应用包括:半导体:如:介电薄膜、金属薄膜、高分子、光刻胶、硅、PZT膜,激光二极管GaN和AlGaN、透明的电子器件等);平板显示:TFT、OLED、等离子显示板、柔性显示板等;功能性涂料:增
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