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光刻胶
光刻胶的主要技术参数1. 灵敏度(Sensitivity) 灵敏度是衡量光刻胶曝光速度的指标。光刻胶的灵敏度越高,所需的曝光剂量越小。单位:毫焦/平方厘米或mJ/cm2。2.分辨率
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YAMATO光刻胶固化炉
性 能 (依 JTM 规格 )使用温度范围 : 室温 +50~50 0℃温度调节精度: ±0. 5℃(at 45 0℃ 无负荷状态下)温度分布精度: ±5℃(at 45 0℃ 无负荷状态下
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SWC-3000 (D) 兆声辅助光刻胶剥离系统
SWC-3000 (D) 兆声辅助光刻胶剥离系统概述:zei新技术的兆声和清洗技术的发展,对MEMS和半导体等领域的晶圆和掩模版清洗提供了zei新的水平,可以帮助用户获得zei干净的晶圆片和
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HASUC 真空干燥箱充HMDS气体
在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的
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HMDS基片预处理系统真空干燥箱HMDS-6090
在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的
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HASUC 带基片预处理系统真空烤箱HMDS
在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的
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HASUC 基片处理系统真空烤箱HMDS-6090
在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的
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HASUC 基片预处理系统真空烤箱 HMDS-6210
尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这造成光刻胶和硅片的黏合性较差,尤其是正胶,显影时显影液会侵入光刻胶和硅片的连接处,容易造成漂条、浮胶等,导致
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MProbe RT薄膜测厚仪
大部分透光或弱吸收的薄膜均可以快速且稳定的被测量。比如:氧化物,氮化物,光刻胶,高分子聚合物,半导体(硅,单晶硅,多晶硅),半导体化合物(AlGaAs, InGaAs,CdTe, CIGS
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F54 薄膜厚度测量仪
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