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PHI 5000 Versaprobe III 多功能型扫描XPS微探针
进行对比分析。4. 溅射深度剖析,可分析膜层结构和成分深度变化。5. 多种技术联用的超高真空分析腔室,可扩展UPS、IPES、AES、C60、GCIB等多种技术。6. 智能用户操作界面
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CAMECA二次离子质谱仪IMS Wf和SC Ultra
。从标准到超浅深度剖析对半导体进行分析的首要条件是优化SIMS分析条件以进行超浅深度剖析,而无需舍弃标准深度剖析应用。CAMECA因此开发了独特的SIMS仪器设计,能够溅射具有大范围碰撞能量的样品:从
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TOF-qSIMS 飞行时间二次离子质谱仪TOF-SIMS
Hiden TOF-qSIMS 飞行时间二次离子质谱工作站设计用于多种材料的表面分析和深度剖析应用,包括聚合物,药物,超导体,半导体,合金,光学和功能涂层以及电介质,检测限低于1ppm
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PHI 710俄歇电子能谱仪
PHI710主要特点:l SEM分辨率≤ 3 nm, AES分辨率≤ 8 nm在俄歇能谱的采集分析过程中,包括谱图,深度剖析及元素分布像,需要先在SEM图像上定义样品分析区域,必然要求束
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赛默飞K-Alpha+ X 射线光电子能谱仪 (XPS) 系统
高精度的表面化学表征: 单色化XPS 快速准确地鉴别表面元素组分、化学态及微小特征分析;结合独特的自动中和技术可对各种绝缘样品进行快速XPS 分析 高分辨的XPS 深度剖析: 小束斑
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碳硫分析仪Cs600
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THETA PROBE全新平行角分辨XPS微探针
高灵敏度小面积XPS能谱分析 高性能深度剖析-可进行表面与界面、三维成分深度分布分析 采用VGzl的快速平行角分辨XPS技术, 无需倾斜样品台就可在样品上原位同时快速获得多个角度
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高性能X射线光电子能谱仪
了简便的操作、高通量和先进的ESCA技术性能。灵活的“双束”离子源和电子源,使得用户可以很轻松的进行复杂的电荷中和以及深度剖析等分析。 ESCA+特点: 优秀的能量分辨率与计数率
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CAMECA二次离子质谱仪QUAD4550高深度分辨率超低能量四极杆SIMS
半导体中的四极杆SIMS掺杂物深度剖析和薄层分析CAMECA SIMS 4550为光学器件中的硅、高k、硅锗以及III-V族化合物等复合材料的薄层提供超浅深度剖析、痕量元素和组分测量等一系列
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赛默飞ELEMENT GD Plus辉光放电质谱仪
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