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等离子体增强化学气相沉积系统CVD
多功能电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统(CVD)是用来制备高纯、高性能固体薄膜的主要技术,主要借助微波或射频的方法将目标气体进行电离,促进化学反应在较低的温度下进行,从而在基片上沉积出所期望的
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PLASSYS微波等离子体化学气相沉积系统MPCVD
,样品台旋转功能,微波发生源脉冲模式,3-4英寸样品台 微波等离子体化学气相沉积系统-MPCVD(科研/小批量生产型 ) MPCVD, MWCVD, MPACVD, MPECVD, CVD金刚石
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牛津仪器等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD) PlasmaPro 100
,光电子学,光子学,微机电系统和微流体技术, PlasmalabSystem100可以有很多的配置,详情如下。 该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进行快速的
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牛津PlasmaPro 100等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)
样本温度不变高功率ICP源可产生高密度的等离子体磁隔离装置可用于增强离子控制和均匀度高导电的泵送系统高可靠性的硬件、容易操作、出色的持续运行时间
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微波能化学气相沉积系统,WBQXCJ-4,VKTR
接口电源电压(V)220微波泄漏量/mW/㎝2≤0.4外型尺寸(长′宽′高)/mm1500×750×1550 微波材料学工作站--微波能化学气相沉积系统 主要用途:主要为应用在半导体
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NPE-4000 (ICPM) 等离子增强化学气相沉积系统
立式ICPECVD系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrICP离子源高达12”(300mm)直径的样品台 该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子,具有分形气流分布的
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NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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NPE-4000 (M) 等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-4000(M) PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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微波等离子化学气相沉积系统,VKTR,WBDQC-4
/㎝2≤0.4外型尺寸(长′宽′高)/mm1100×750×1900该系统既可用作传统的化学气相沉积设备,又可用作微波能化学气相沉积设备,同时又是微波等离子化学气相沉积设备。主要用途:★该系统既可
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