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霍尔效应测试仪
价格电议HEMS 霍尔效应测量系统 上海伯东英国 NanoMagnetics 仪器 HEMS 霍尔效应测量系统, 多样品实验, 非常适合材料研究等应用.HEMS 霍尔效应测量系统特点 多样
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磁光克尔效应测量系统
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英国 NanoMagnetics 霍尔效应测量系统
独特的设计使得用户能够以高分辨率和精度测量 80K 到500K 之间的样品, 所有的磁铁移动和温度变化都可以自动完成而不会改变组件.ezHEMS 霍尔效应测量系统 上海伯东英国
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Seeback赛贝克效应测量系统
u 主要参数Maximum Operating Temperature70K to 730KTemperature Stability±0.1KResolution
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激光单粒子效应模拟测量系统
产地属性欧洲皮秒单粒子效应模拟装置的英文简称为LSS即Laser Single Particle Simulation的含义。 皮秒单粒子效应模拟装置的英文简称为LSS即Laser Single
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Joule Yacht 霍尔效应测试系统 HET
霍尔效应测试系统依据范德堡法则测量材料的电运输性能参数:载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等,薄膜或薄层材料均可测量,可应用于所有半导体材料,包括Si、ZnO、SiGe、SiC,GaAs
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磁光克尔(MOKE)效应测量系统
微区域克尔测量装置,具有高灵敏度微区域测量系统可满足纵向/极向测量,具有较高的灵敏度极向磁光克尔效应测量,对PMR薄膜晶圆的磁特性测量纵向磁光克尔测量系统,可进行多点磁滞回线的测量激光光源半导体激光器
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Hall8800霍尔效应测试仪器
), optional 77K.测试温度: 室温、可选配液氮低温77K2-3Measurement Material: Semiconductors material such as Si, SiGe
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Hall8800霍尔效应测试仪器
系统主要为结合霍尔效应及van der pauw方法四点测量分析薄膜材料的电阻率,载子浓度(N Type & P TYPE)及迁移率等相关参数信息,温度范围在室温(300K)及77K环境下测试;另外
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Hall8800霍尔效应测试仪器
), optional 77K.测试温度: 室温、可选配液氮低温77K2-3Measurement Material: Semiconductors material such as Si, SiGe
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