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电弧等离子体沉积系统
系统参数: 1. 真空腔尺寸:400X400X300长宽高2. 抽空系统:分子泵450L/s3. 电弧等离子体源:标配一个,最多3个4. 沉积气压:真空或者低气压气体(N2, H2,O2
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PLASSYS微波等离子体化学气相沉积系统MPCVD
,样品台旋转功能,微波发生源脉冲模式,3-4英寸样品台 微波等离子体化学气相沉积系统-MPCVD(科研/小批量生产型 ) MPCVD, MWCVD, MPACVD, MPECVD, CVD金刚石
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等离子体增强化学气相沉积系统CVD
多功能电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统(CVD)是用来制备高纯、高性能固体薄膜的主要技术,主要借助微波或射频的方法将目标气体进行电离,促进化学反应在较低的温度下进行,从而在基片上沉积出所期望的
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NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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NPE-4000 (M) 等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-4000(M) PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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Angstrom Dep III等离子体增强原子层沉积系统(PEALD)
原子层沉积循环包括四个步骤:脉冲A,清洗A,脉冲B和清洗B。沉积循环不断重复直至获得所需的薄膜厚度,是制作纳米结构从而形成纳米器件极佳的工具。 等离子体增强原子层沉积系统(Plasma
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生物芯片专用等离子清洗亲水处理机
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NPE-4000 (ICPA) 全自动等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-4000(ICPA)全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC
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NPE-4000 (A) 全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-4000(A)全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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