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单离子注入(SII)
精确定位定量离子注入针尖悬臂上的小孔小于50nm锥形电场稀释和准直离子束横向电场形成离子闸门 设备简介Nano analytik公司成立于2010年4月,技术源自德国伊尔梅瑙科技大学,公司的核心
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KYKY油润滑涡轮分子泵系列
/1600型涡轮分子泵F-400/3500型涡轮分子泵F-400/3600型涡轮分子泵 适用于工业检漏、PVD、CVD、离子注入、真空电子元器件制造、Low-E玻璃、ITO玻璃、光学薄膜、太阳能电池
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U-050-2000-100带电粒子探测器
探测器。 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在探测器
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R-015-050-300带电粒子探测器
。ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在探测器上应从
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U-013-025-300带电粒子探测器
探测器。 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在
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D-035-050-25带电粒子探测器
探测器。 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在
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D-015-050-50带电粒子探测器
的厚硅探测器。 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用
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U-050-2000-100带电粒子探测器
。ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在探测器上应从
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U-019-300-100带电粒子探测器
。 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在
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ORTEC带电粒子探测器ULTRA
探测器。 ORTEC带电粒子硅探测器主要有金硅面垒和离子注入两种工艺,其耗尽层厚度从10微米到几个毫米厚不等。而根据其几何形状与是否全耗尽又有诸多类型。选择合适的带电粒子探测器,除应用本身外,在
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