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降低”,可通过稀释的办法来实现。[/size],[size=2]我动条件了,可还是不行,我用的是填充柱做的,减少进样量后面的四氯化硅都不出了,可能是柱子的问题吧,可柱子用了还没一个月,太不经用了吧[/size],[size=2]有色谱图么
2014年08月26日发布人:vera+
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YS_T 13-2007当中规定:窗口为抛光锗片,厚2mm,与池体间连接保证密封;强防腐特氟龙液体池--------采用绝对防腐设计,全部采用超纯特氟龙原料,能容纳四氯化锗,四氯化硅等强腐蚀化学品。全部连接处采用软特氟龙硬密封,不带任何粘结剂,可以任意装拆。
3.光程长度
2015年06月17日发布人:sobi
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我在四氯化硅的色谱分析时遇到了难题,请各位前辈指教。有客户提出进样跟参比柱都是3米的耐受300度高温的玻璃填充柱来进行分析,请教大家指点国产的色谱那种能适应安装这样的柱子。,很多仪器都可以到300度吧,国产的不了解,不过300度不是个很高
2010年10月06日发布人:yueya9113
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电解质是四氯化硅,想做电沉积,文献是线性伏安在-2.5V左右出还原峰,但实验时循环伏安和线性扫描都没出峰,只是差分脉冲时有一个不算峰的峰,三种方法折腾了几遍,还是这样,但最终有硅沉积出来了。。。。不解的是差分脉冲似乎比其他两种方法灵敏
2015年05月06日发布人:yazi
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电解质是四氯化硅,想做电沉积,文献是线性伏安在-2.5V左右出还原峰,但实验时循环伏安和线性扫描都没出峰,只是差分脉冲时有一个不算峰的峰,三种方法折腾了几遍,还是这样,但最终有硅沉积出来了。。。。不解的是差分脉冲似乎比其他两种方法灵敏
2015年08月25日发布人:8899
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CAS号是什么? [/quote]
[size=2]你好,你指的GAS号是指仪器型号吗?还是什么,初学,我没明白![/size],[size=2]二氯硅烷、三氯硅烷、四氯化硅的图都有,看不到一氯硅烷。是稳定产物吗?[/size
2014年10月14日发布人:9妖9
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电解质是四氯化硅,想做电沉积,文献是线性伏安在-2.5V左右出还原峰,但实验时循环伏安和线性扫描都没出峰,只是差分脉冲时有一个不算峰的峰,三种方法折腾了几遍,还是这样,但最终有硅沉积出来了,嗯,脉冲极谱的最突出的特点就是极高的灵敏度,应该
2015年07月30日发布人:zouyou
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电解质是四氯化硅,想做电沉积,文献是线性伏安在-2.5V左右出还原峰,但实验时循环伏安和线性扫描都没出峰,只是差分脉冲时有一个不算峰的峰,三种方法折腾了几遍,还是这样,但最终有硅沉积出来了,嗯,脉冲极谱的最突出的特点就是极高的灵敏度,应该
2016年02月26日发布人:QQ爱
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电解质是四氯化硅,想做电沉积,文献是线性伏安在-2.5V左右出还原峰,但实验时循环伏安和线性扫描都没出峰,只是差分脉冲时有一个不算峰的峰,三种方法折腾了几遍,还是这样,但最终有硅沉积出来了,嗯,脉冲极谱的最突出的特点就是极高的灵敏度,应该
2015年01月30日发布人:冰激凌
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求助!三氯氢硅和四氯化硅在多少压力,多少温度下分离提纯好呢?,这个问题牵涉的就比较广了
对于一个固定的塔来说吧:塔压当然是越低,分离效果越好了,因为组分的相对挥发度增大了。但是塔压减小了,塔顶出来的TCS泡点就要降低了,想想标况下TCS
2013年08月12日发布人:青青子衿