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HASUC 基片预处理系统真空烤箱 HMDS-6210
在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这
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HMDS基片预处理系统真空干燥箱HMDS-6090
在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这
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HASUC 基片处理系统真空烤箱HMDS-6090
在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这
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HASUC 带基片预处理系统真空烤箱HMDS
在半导体生产工艺中,光刻是集成电路图形转移重要的一个工艺环节,涂胶质量直接影响到光刻的质量,涂胶工艺也显得尤为重要。光刻涂胶工艺中绝大多数光刻胶是疏水的,而硅片表面的羟基和残留的水分子是亲水的,这
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薄膜纳米厚度测量仪 F54
的。非金属的薄膜都可以测量。可测样品包括:氧化硅氮化硅类金刚石DLC光刻胶聚合物聚亚酰胺多晶硅非晶硅硅 薄膜纳米厚度测量仪相关应用半导体制造• 光刻胶• 氧化物/氮化物/SOI• 晶圆研磨减薄/封装
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爱义信 HMDS烘箱 HMDS真空烘箱 HMDS预处理烘箱
HMDS涂到样品表面后,经烘箱加温可生成硅氧烷为主的化合物,将样品表面由亲水性变为疏水性,此疏水性能够很好的与光刻胶结合,增加了样品表面与光刻胶的黏附作用
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飞纳台式扫描电子显微镜标准版Pure扫描电镜Phenom 可检测光刻胶材料
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NIE-4000(R)RIBE反应离子束刻蚀
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NIE-4000(M)IBE离子束刻蚀
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NIE-4000 (A) 全自动IBE离子束刻蚀
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