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碳化硅SiC氮化镓GaN器件参数测试仪系统
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4H-SiC上镀4H-SiC薄膜
产品名称:4H-SiC上镀4H-SiC薄膜P型(4H-SiC?Epitaxial?Film?on?4H-SiC,?P?type)常规尺寸:dia4" ±0.5 mm x 0.525 ±0.025
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centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150
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centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150
centrotherm SiC和GaN退火及石墨烯生长 Activator150centrotherm Activator 150 高温炉生产线专为硅-碳化合物(SiC)或镓-氮化
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高温炉-碳化硅SiC加热
高温炉,SiC加热棒加热 --T max. 1400℃,1500℃,1600℃ ● 炉腔内温度分布极佳 ● 结构坚固的双层炉壳体设计
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高温管式炉-SiC加热棒
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CAMTEK 自动光学检验AOI设备 在 碳化硅(SiC) 领域的应用
碳化硅碳化硅晶片是未来一代半导体材料,具有独特的电学性能和优异的热性能。 与硅片和砷化镓晶片相比,碳化硅晶片更适合高温和高功率设备应用程序。
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带SiC加热棒的高温炉HTC
仪器简介:这种功率强大的实验室马弗炉具有zei高温度1400 °C、1500 °C或1600 °C。坚固耐用的SiC棒和短 暂的加热时间使该炉型获得了广泛的实验室应用。根据炉型和使用
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带SiC加热棒的常规高温炉RHTC
仪器简介:这款紧凑型管式炉配有SIC加热棒和带控制器的内置式开关设备,广泛适用于众多加工工艺。易于更换的工作管和批量式配件安装方式又进一步增加了设备的灵活性和应用范围。通过使用高级纤维
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带SiC加热棒的常规高温炉RHTC
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