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AEC-Q101认证试验
广电计量在SiC第三代半导体器件的AEC-Q认证上具有丰富的实战经验,为您提供专业可靠的AEC-Q101认证服务,同时,我们也开展了间歇工作寿命(IOL)、HAST、H3TRB、HTRB、HTGB
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半导体分立器件AEC-Q101认证试验
AEC-Q101对对各类半导体分立器件的车用可靠性要求进行了梳理。AEC-Q101试验不仅是对元器件可靠性的国际通用报告,更是打开车载供应链的敲门砖。 广电计量在SiC第三代半导体器件的AEC-Q
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第三代半导体可靠性验证与评价
重要保障。广电计量特意推出第三代半导体可靠性验证与评价服务,助力企业产品高效发展。服务背景在第三代半导体的代表中,碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)目前是技术较为成熟的材料,优越的性能使其在新一代运动
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半导体分立器件AEC-Q101认证试验
AEC-Q101对对各类半导体分立器件的车用可靠性要求进行了梳理。AEC-Q101试验不仅是对元器件可靠性的国际通用报告,更是打开车载供应链的敲门砖。 广电计量在SiC第三代半导体器件的AEC-Q
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影响仪器仪表差热分析的主要因素
稀释剂不能与试样有任何化学反应或催化反应,常用的稀释剂有sic、铁粉、fe2o3、玻璃珠al2o等。 (5)纸速的选择 在相同的实验条件下,同一试样如走纸速度快,峰的面积大,但峰的形状平坦
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