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功率器件参数测试
开始由实验室阶段步入商业应用,未来应用潜力巨大,这些新型器件测试要求更高的电压和功率水平,更快的开关时间。 测试周期:根据标准、试验条件及被测样品量确定 产品范围:MOSFET、IGBT、DIODE
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功率模块LV/AQG 324认证试验
巨头所垄断,而国产功率模块性能尚无法满足汽车核心装备应用,主要原因之一是可靠性有待提升。 测试周期:2-3个月,提供全面的认证计划、测试等服务 产品范围:适用于MOSFET,Diode,IGBT
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车规级电子元器件AEC-Q认证测试
:适用于BJT、MOSFET、IGBT、Diodes、 Rectifier、Zeners、PIN、Varactors等分立器件; ●AEC-Q102: 适用于LEDs、Optocoupler
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功率器件参数测试
器件开始由实验室阶段步入商业应用,未来应用潜力巨大,这些新型器件测试要求更高的电压和功率水平,更快的开关时间。 测试周期:根据标准、试验条件及被测样品量确定 产品范围:MOSFET、IGBT
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功率模块LV/AQG 324认证试验
巨头所垄断,而国产功率模块性能尚无法满足汽车核心装备应用,主要原因之一是可靠性有待提升。 测试周期:2-3个月,提供全面的认证计划、测试等服务 产品范围:适用于MOSFET,Diode,IGBT
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IGBT及第三代半导体器件全参数测试
。 服务范围MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半导体器件等分立器件,以及上述元件构成的功率模块。检测标准l AEC-Q101分立器件认证l MIL-STD-750半导体器件试验⽅法
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功率器件失效根因分析
设备,专注功率器件失效根因分析,可为客⼾提供完整的失效根因分析服务。服务范围MOSFET、IGBT、DIODE、BJT,第三代半导体器件等分⽴器件,以及上述元件构成的功率模块检测标准l
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车规电子元器件AEC-Q全系认证服务
过程中的产品分析测试需求。 产品对象集成电路:MCU、SoC、导航芯片、DC-DC、MEMS、MCM等分立器件:SBD、Mosfet、IGBT、TVS、BJT等光电器件:LED、APD、PD等被动元件
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