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GSL-PECVD-300化学气相沉积
沉积采用等离子体增强型化学气相沉积技术,基本温度低,沉积速率快,在光学玻璃、硅、石英以及不锈钢等不同衬底材料上沉积氮化硅、非晶硅和微晶硅等薄膜,成膜质量好,针孔较少,不易龟裂,适用于制备非晶硅和微晶硅
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快速热化学气相沉积系统(RTCVD)
性能和特点:- 温度范围:室温 ~ 1500°C;- 升温速度:200°C/s;- 气体混合能力(带有质量流量计);- 真空度:~10-6Torr; RTCVD快速热化学气相沉积设备广泛
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微波能化学气相沉积系统,WBQXCJ-4,VKTR
接口电源电压(V)220微波泄漏量/mW/㎝2≤0.4外型尺寸(长′宽′高)/mm1500×750×1550 微波材料学工作站--微波能化学气相沉积系统 主要用途:主要为应用在半导体
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Trion Orion HDCVD高密度化学气相沉积系统
Orion HDCVD 高密度气相化学沉积系统采用高密度的化学气相沉积技术,在惰性气体进入口安装感应线圈,周围布置陶瓷管。射频创建等离子体,通过气体环在衬底表面附近引入挥发性气体。当惰性气体与
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PLASSYS微波等离子体化学气相沉积系统MPCVD
,样品台旋转功能,微波发生源脉冲模式,3-4英寸样品台 微波等离子体化学气相沉积系统-MPCVD(科研/小批量生产型 ) MPCVD, MWCVD, MPACVD, MPECVD, CVD金刚石
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等离子体增强化学气相沉积系统CVD
多功能电感耦合等离子体增强化学气相沉积系统(CVD)是用来制备高纯、高性能固体薄膜的主要技术,主要借助微波或射频的方法将目标气体进行电离,促进化学反应在较低的温度下进行,从而在基片上沉积出所期望的
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德国Diener PECVD等离子体化学气相沉积设备
易燃易爆气体安全阀Gas Shower气浴电极设备外尺寸2000*600*1700mm进口真空泵组电压 3项400V 该PECVD系统可以沉积高质量SiO2薄膜、Si3N4薄膜、类金刚石薄膜、硬质
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PECVD沉积
PECVD沉积Minilock-Orion III是一套最先进的等离子增强型化学汽相沉积(PECVD)系统。 系统的下电极尺寸可为200mm或300mm,且根据电极配置,可以处理单个基片或带承
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NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-3500 PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-3000 PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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