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微波等离子化学气相沉积系统,VKTR,WBDQC-4
/㎝2≤0.4外型尺寸(长′宽′高)/mm1100×750×1900该系统既可用作传统的化学气相沉积设备,又可用作微波能化学气相沉积设备,同时又是微波等离子化学气相沉积设备。主要用途:★该系统既可
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NMC-3000 MOCVD金属有机化学气相沉积系统
独立式系统ICP或者微波等离子源14”立方的电抛光不锈钢腔体8”或者12”的基片夹具700°C旋转基片夹具用于6”样品台,950°C用于4”样品台增加鼓泡器和MFC自动上下片集群配置可兼容
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NPE-4000 (ICPM) 等离子增强化学气相沉积系统
立式ICPECVD系统不锈钢或铝制腔体极限真空可达10-7TorrICP离子源高达12”(300mm)直径的样品台 该系统采用淋浴头电极或中空阴极射频等离子源来产生等离子,具有分形气流分布的
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NPE-4000 (M) 等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-4000(M) PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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SUPERALD Exploiter原子层沉积大尺寸沉积系统
设备规格工艺温度:温度范围:RT~500°C 精度:土1°C(可定制)前驱体路数:支持6路前驱体气路(可定制),包含固、液态前驱体源瓶加热系统:可加热温度范围:RT~150℃反应物路数:支持2路
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NPE-4000 (ICPA) 全自动等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-4000(ICPA)全自动ICPECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC
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NPE-4000 (A) 全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统
CNT(碳纳米管)和石墨烯的选择性生长:在需要的位置生长CNT或石墨烯。 NPE-4000(A)全自动PECVD等离子体化学气相沉积系统,具有分形气流分布的优势.样品台可以通过RF或脉冲DC产生偏压
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牛津仪器等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD) PlasmaPro 100
晶片更换、采用多种工艺气体并扩大了允许的温度范围。 System 100 -等离子刻蚀与沉积设备该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进行快速的晶片
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牛津PlasmaPro 100等离子体增强化学气相沉积系统(PECVD)
该设备是一个灵活和功能强大的等离子体刻蚀和淀积工艺设备。 采用真空进样室进样可进行快速的晶片更换、采用多种工艺气体并扩大了允许的温度范围。System 100 -等离子刻蚀与沉积设备 该设备是
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AT-400 原子层沉积
原子层沉积(Atomic layer deposition, ALD)是通过将气相前驱体脉冲交替的通入反应器,化学吸附在沉积衬底上并反应形成沉积膜的一种方法,是一种可以将物质以单原子膜形式逐层
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